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選擇高純水標(biāo)準(zhǔn)的好處 |
點(diǎn)擊次數(shù):1594 更新時間:2015-03-19 |
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選擇高純水標(biāo)準(zhǔn)的好處:
1 主題內(nèi)容與通用范圍 本標(biāo)準(zhǔn)給出了電力半導(dǎo)體器件工藝用高純水(以下稱高純水)的級別、技術(shù)要求、測試方法和規(guī)則。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于去離子處理后的高純水。 2 引用標(biāo)準(zhǔn) GB11446電子級水及其檢測方法 3術(shù)語 3.1 電導(dǎo)率electrical conductivityctricalconduc2ivity 在規(guī)定溫度下,1cm3水溶液兩相對面之間測得的電阻值的倒數(shù)。電導(dǎo)率通常以μS/cm為單位。 水的理論電導(dǎo)率為0.0548μs/cm(25℃時)。 3.2電阻率 resistivity 電導(dǎo)率之倒數(shù)。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時)。溫度升高時電阻率下降。 3.3顆粒性物質(zhì)granular sulbstance 除氣體以外,以非液態(tài)形式分散在水中,并形成非均勻相混合物的物質(zhì)。 3.4總有機(jī)碳(TOC)total organic carbon 水中以各種有機(jī)物形式存在的碳的總量。包括易被—般強(qiáng)氧化劑氧化的有機(jī)物和需用特殊化的有機(jī)物。 3.5總固體 total solid 水樣蒸發(fā)、烘干后殘留的固總量。 3. 6全硅 total silicon 水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。全硅和可溶性硅之差即叫為膠體硅。 3.7高純水high-pure water, ultrapure water 電阻率在5MΩ·cm以上,各種形式存在的物質(zhì)含量有一定規(guī)定限制的很純凈水 3.8原水raw watcr 純化處理之前的水。常用的原水將自來水、井水、河水等。 3.9終端 terminal。 高純水生產(chǎn)流程中經(jīng)過各道沖化工藝后,水的出口使用地點(diǎn)??煞謩e稱為制水終端和用水 3.10微量micro-amount 試樣量在1mg左右。 3.11 痕量 trace amount 試樣量在1μg左右。 3.12百萬分之一(ppm) part per million 重量比的量,相當(dāng)于每百萬重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)。在水質(zhì)分析中,一殷也認(rèn)為相當(dāng) 每升水樣含雜質(zhì)的毫克數(shù)(mg/L)。 3.13十億分之一(ppb)part per billion 重量比的單位,相當(dāng)于每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì),在水質(zhì)分折中,一般 認(rèn)為相當(dāng)于短升水樣含雜質(zhì)的微克數(shù)(μg/L)。 4高純水的級別 4.1高純水可分為電子級高純水和普通高純水,分別用符號EH和pH標(biāo)志。 4. 2電子級高純水 4.2.1在制造工藝中使用電子級高純水的電力半導(dǎo)體器件有如下特點(diǎn): a.具有精細(xì)圖形結(jié)構(gòu); b.對器件表面有特殊要求; c.工藝對水質(zhì)有特定的嚴(yán)格要求。 4.2.2電子級高純水分為兩個級別:特級和I級。它們的標(biāo)志分別是: 特級電子級高純水:EH—T 一級電子級高純水:EH—1 4.3普通高純水 4.3.1普通高純水用于一般電力半導(dǎo)體器件的制造工藝中。 4.3.2普雙高純水分為三個級別:Ⅰ級、Ⅱ級和Ⅲ級。它們的標(biāo)志分別是: I級普通高純水:pH—Ⅰ x級普通高純水:PH—Ⅱ m級普通高純水:pH—Ⅲ 4. 4電阻率低于5MΩ·cm的水不能稱為高純水。 5技術(shù)要求 5.1電子級高純水 5.1.1電子級高純水應(yīng)考核四項(xiàng)內(nèi)容: a. 水中自由離子濃度(主要影響電阻率); b.水中懸浮微粒的數(shù)量和大?。?br />C. 水中有機(jī)物總量; d. 水中細(xì)菌微生物狀況。 5. 1. 2電子級高純水的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)由表1給出。 |
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